PRODUCTS

产品中心

场发射扫描电镜

设备主要用途
场发射扫描电子显微镜主要用于观察、分析和记录材料的微观形貌,以及可以通过配备EDS能谱仪进行材料元素的成分分析。
设备介绍

1.设备主要用途

场发射扫描电子显微镜主要用于观察、分析和记录材料的微观形貌,以及可以通过配备EDS能谱仪进行材料元素的成分分析。


2.设备技术规格要求

2.1电子光学系统

2.1.1 二次电子分辨率:0.9nm@15KV1.3nm@1kV(非样品台减速模式下);

2.1.2 放大倍率:10-1,000,000,根据加速电压和工作距离的改变,放大倍数自动校准,低倍率与高倍率无需任何模式更换;

2.1.3 电子枪:肖特基热场发射电子枪;

2.1.4 加速电压或着陆电压范围:0.02kV30kV,步进10V,连续可调;

2.1.5 探针电流:3pA-20nA

2.1.6 电子光路具备色差校正设计,在低电压下高分辨观察性能,能够直接观察不导电样品;

2.1.7 镜筒内具有特殊设计,能够保证样品室内无漏磁,可对铁磁性和易磁性材料进行2mm内短距离高分辨成像;

2.1.8 束流稳定性:优于0.2%/h,抗噪声性能优于1%/h

2.1.9 分析工作距离:35º出射角时分析工作距离8.5mm

2.2样品室

*2.2.1 抽屉式拉门;样品室内内部直径365mm

*2.2.2 配置五轴优中心马达驱动样品台,移动最大范围指标:X=125mmY=125mmZ=50mm,双向倾斜,倾斜范围-10ºto90º,360°连续旋转;

2.2.3 配置马达台快捷控制器、多功能旋钮操作控制面板;

2.2.4 配置9孔样品座;

2.2.5 预留能谱仪、背散射电子衍射等常用附件接口和软件通讯接口;

2.2.6 最大可载样品重量500g

2.2.7 样品触碰极靴告警;

2.3探测器

2.3.1 样品室内二次电子探测器;2

2.3.2 安装在镜筒内正光轴上高分辨In-Lens二次电子探测器;

2.3.3 样品室内独立的背散射电子探测器;

2.3.4 原厂标配样品室内CCD相机。

2.4真空系统

2.4.1 无油磁悬浮涡轮分子泵,250升每秒;离子泵,维持发射区域超高真空;

2.4.2 前级无油机械泵,10立方米每小时;

2.4.3 样品室真空度:优于3×10-4Pa,电子枪真空度:10-7Pa数量级;

2.4.4 全自动真空系统,完全气动阀自动控制;

2.5数字图像记录系统

*2.5.1 单张图片最大图像存储分辨率32k×24k像素;

2.5.2 图像显示不小于1024×768像素,配置主流品牌液晶显示器,尺寸不小于24寸;

2.5.3 图像记录格式:TIFFBMPJPEG

2.5.4 基于网络架构的数据传输系统;

2.5.5 计算机系统配置不低于:Intel2.33GHz16GB内存;1TBS-ATA3.0硬盘;独立显卡;DVD刻录机;

2.5.6 Windows操作系统;

2.5.7 可自动调节:电子枪对中、真空控制、亮度与衬度、调焦和象散、动态聚焦、倾斜补偿;

2.6能谱探测器

2.6.1 探测器:分析型SDD硅漂移电制冷探测器,40mm2有效面积,超薄窗设计,无需液氮冷却,仅消耗电能。

2.6.2 能量分辨率:MnKa保证优于129eV,元素分析范围:Be4Cf98

2.6.3 圆形对称芯片,最大程度地减少低能端的能量损失

2.6.4 FET场效应管同阳极独立封装,避免X射线的轰击

2.6.5 谱峰稳定性:1,000cps100,000cpsMnKa峰谱峰漂移小于1eV,分辨率变化小于1eV,48小时内峰位漂移小于1.5eV

2.6.6 具备零峰修正功能,可以快速稳定谱峰,开机后无需重新修正峰位。

2.7背散射电子衍射仪

2.7.1 高速低噪音CMOS相机,分辨率1244*1024,并能够与各主流型号电镜良好配合;

2.7.2 EBSD在线解析标定速度不低于600pps,此时花样分辨率仍能保持为312*256

2.7.3 电子图像分辨率高达8192*8192EBSD面分布图分辨率高达4096*4096

2.7.4 取向精度0.05

2.7.5 独有的接近传感器,保护EBSD探测器前端,在碰撞接触前就探测并预警,

2.7.6 探测器插入退出,最快速度:15mm/s,精度:<10μm

2.7.7 应用软件采用多任务设计,可以同时并行数个任务,并支持分屏显示及远程控制。操作软件完全与能谱仪软件一体化,可进行EBSD晶体取向分布分析。可根据能谱数据对EBSD花样进行预过滤,实现对未知相的相鉴定(PhaseID),实现能谱EBSD同时联机分析且不降速;

2.7.8 能对所有对称性(从三斜到立方)晶体材料的EBSP花样进行自动化的标定,且各相的反射面可以独立选择,并可以进行带宽修正,也可以对衍射带边缘及中间进行标定;

2.7.9 配置HKL标准数据库和ICSD海量晶体学数据库,数据容量不小于5万种,已经滤掉伪

对称数据;

2.7.10 采用最优化的Hough变换,多条带标定方法(最多可以用12根菊池带进行标定),根

据平均角度偏差MAD结构因子进行完全自动化的菊池带识别和花样标定;

2.7.11 配有64位后处理软件包,和采集软件一体化风格,方便高效,包含且不限于如下功能:

1)晶粒度统计(2)晶界分析(3)物相鉴定(4)极图和反极图分析(5)可自动剥离形变和再结晶区;

2.7.12 配有专用的高精度标定模式,实现更高角度分辨率的标定。


3.主要技术参数

电子枪:

15kV对应分辨率:

1kV对应分辨率

500V分辨率:

背散射电子探测器类型:

最大扫描速度:

加速电压:

放大倍率:

探针束流:

图像存储分辨率:

接口:

能谱接口:

高真空模式:

可变压模式:

样品仓尺寸:

样品台种类:

X方向移动范围:

Y方向移动范围:

Z方向移动范围:

倾斜范围:

旋转范围:

最大样品载重:

最大样品尺寸:

肖特基场发射

0.7nm

1.1nm

1.9nm

HDBSD/aBSD

50ns/pixel

0.0230kV

10×–1,000,000×

3pA-20nA

32k×24k像素

10

21EDS专用接口)

配置

10133Pa(选配)

365mm(Ø)x275mm(h)

全电动5轴样品台

140mm

130mm

100mm

-20~+90°

360°连续

最大5kg/XYZ,最大0.5kg/XYZTR

250mm(Ø)x180mm(h)

去掉TR模块,在分析工作距离